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IRF7769L1TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 0.0035 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 3,030 |
| 50+ | € 2,600 |
| 250+ | € 2,350 |
| 1000+ | € 1,940 |
| 2000+ | € 1,930 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7769L1TRPBF
Bestellnummer2725914
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001566418
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id375A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0035ohm
Bauform - TransistorDirectFET L8
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.7V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins15Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
375A
Bauform - Transistor
DirectFET L8
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0035ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.7V
Anzahl der Pins
15Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung