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IRFS7430TRLPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFS7430TRLPBF
Bestellnummer2617414RL
ProduktpaletteStrongIRFET HEXFET
Auch bekannt alsSP001571706
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFS7430TRLPBF
Bestellnummer2617414RL
ProduktpaletteStrongIRFET HEXFET
Auch bekannt alsSP001571706
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id195A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1200µohm
Bauform - TransistorTO-263AB
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.9V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteStrongIRFET HEXFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
195A
Bauform - Transistor
TO-263AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1200µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.9V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
StrongIRFET HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRFS7430TRLPBF
4 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
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