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IRL40T209ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRL40T209ATMA1
Bestellnummer3267855
ProduktpaletteStrongIRFET
Auch bekannt alsIRL40T209, SP001648026
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,350 |
| 10+ | € 1,790 |
| 100+ | € 1,380 |
| 500+ | € 1,170 |
| 1000+ | € 1,100 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRL40T209ATMA1
Bestellnummer3267855
ProduktpaletteStrongIRFET
Auch bekannt alsIRL40T209, SP001648026
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id300A
Drain-Source-Durchgangswiderstand720µohm
Bauform - TransistorHSOF
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.4V
Verlustleistung500W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteStrongIRFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
Der IRL40T209ATMA1 ist ein StrongIRFET™-IR-MOSFET der Familie IRL40T209 und eignet sich unter anderem für Bürstenmotortreiberanwendungen, BLDC-Motortreiberanwendungen, akku-/batteriebetriebene Schaltungen, Halbbrücken- und Vollbrücken-Topologien, Synchrongleichrichteranwendungen, Resonanzmodus-Netzteile, OR-ing und redundante Leistungsschalter, DC/DC- und AC/DC-Wandler, DC/AC-Inverter.
- Verbesserte Gate- und Avalanche-Festigkeit
- SOA-Schutz mit vollständig charakterisierter Kapazität und Avalanche-Verhalten
- Verbesserter Nenn-Drainstrom (ID)
- Kontinuierlicher Drainstrom: max. 586A (VGS=10V, TC=25°C (chipbegrenzt))
- Gepulster Drainstrom: 1200A (TC = 25°C); Gate/Source-Spannung: -20V bis 20V (TC = 25°C)
- Verlustleistung: 500W (TC = 25°C)
- Ausschaltverzögerung: typ. 190ns (VDD=20V, VGS=4.5V, ID=30A, RG, ext=2.7 Ohm)
- Anstiegszeit: typ. 230ns (VDD=20V, VGS=4.5V, ID=30A, RG, ext=2.7 Ohm)
- Schaltladung: 100nC (VDD=20V, ID=100A, VGS=0V bis 4.5V)
- Betriebs- und Lagertemperatur: -55°C bis 175°C; Gehäuse: PG-HSOF-8
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
300A
Bauform - Transistor
HSOF
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
500W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
720µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
StrongIRFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001149
Produktnachverfolgung