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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,640 |
| 10+ | € 1,200 |
| 50+ | € 1,120 |
| 100+ | € 0,920 |
| 250+ | € 0,876 |
| 500+ | € 0,852 |
| 1000+ | € 0,821 |
| 2500+ | € 0,759 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
IRS21867STRPBF ist ein High-Speed-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf High- und Low-Side referenzierten Ausgangskanälen. Die proprietäre HVIC- und Latch-beständige CMOS-Technologie ermöglicht eine robuste monolithische Konstruktion. Dank des Betriebs mit niedriger VCC ist der Einsatz in batteriebetriebenen Anwendungen möglich. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Pegeln ab 3.3V. Der Ausgangstreiber verfügt über eine Pufferstufe für hohe Impulsströme, um das Übersprechen des Treibers zu minimieren. Der potentialfreie Kanal lässt sich zur Ansteuerung eines n-Kanal Leistungs-MOSFET oder IGBT in der High-Side-Konfiguration nutzen, die mit bis zu 600V arbeitet.
- Erdfreier Kanal ausgelegt für Bootstrap-Betrieb
- Tolerant gegenüber negativen Spannungstransienten, dV/dt-Festigkeit
- Betrieb mit niedriger VCC
- Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
- Abgestimmte Laufzeiten für beide Kanäle
- Gate-Treiber mit niedrigerem di/dt für bessere Störfestigkeit
- Logik- und Stromversorgungsmasse: ± 5V Offset
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
2Kanäle
High-Side und Low-Side
8Pin(s)
Oberflächenmontage
4A
10V
-40°C
170ns
-
-
-
IGBT, MOSFET
SOIC
-
4A
20V
125°C
170ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat