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SMBT2222AE6327HTSA1
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerSMBT2222AE6327HTSA1
Bestellnummer4318757
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 6 Woche(n)
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| Menge | |
|---|---|
| 45000+ | € 0,0305 |
| 135000+ | € 0,0286 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 45000
Mehrere: 45000
€ 1.372,50 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerSMBT2222AE6327HTSA1
Bestellnummer4318757
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauerkollektorstrom600mA
Verlustleistung330mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
330mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033
Produktnachverfolgung