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IS42S32800J-7TLI
DRAM, 8M x 32 Bit, 5.4ns, LVTTL-Schnittstelle, TSOP-II-86
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
HerstellerteilenummerIS42S32800J-7TLI
Bestellnummer2843612
ProduktpaletteIS42S
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 6,180 |
| 10+ | € 5,760 |
| 25+ | € 5,580 |
| 50+ | € 5,390 |
| 100+ | € 5,250 |
| 250+ | € 5,100 |
| 500+ | € 5,000 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
HerstellerteilenummerIS42S32800J-7TLI
Bestellnummer2843612
ProduktpaletteIS42S
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungSDR
Speicherdichte256Mbit
Speicherkonfiguration8M x 32 Bit
Taktfrequenz, max.143MHz
IC-Gehäuse / BauformTSOP-II
Anzahl der Pins86Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.3.3V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
ProduktpaletteIS42S
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (16-Jul-2019)
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
SDR
Speicherkonfiguration
8M x 32 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TSOP-II
Versorgungsspannung, nom.
3.3V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
IS42S
SVHC
No SVHC (16-Jul-2019)
Speicherdichte
256Mbit
Taktfrequenz, max.
143MHz
Anzahl der Pins
86Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (16-Jul-2019)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003349