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IXTQ69N30P
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXTQ69N30P
Bestellnummer3438435
ProduktpalettePolar
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 9,390 |
| 5+ | € 7,370 |
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| 50+ | € 4,920 |
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| 250+ | € 4,660 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXTQ69N30P
Bestellnummer3438435
ProduktpalettePolar
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds300V
Dauer-Drainstrom Id69A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.049ohm
Bauform - TransistorTO-3P
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung500W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePolar
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
69A
Bauform - Transistor
TO-3P
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
500W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
300V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.049ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Polar
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004