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IXYA20N120C4HV
IGBT, 68 A, 2.5 V, 375 W, 1.2 kV, TO-263HV, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXYA20N120C4HV
Bestellnummer3519692
ProduktpaletteXPT GenX4
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 9,080 |
| 5+ | € 7,750 |
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| 50+ | € 5,080 |
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Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXYA20N120C4HV
Bestellnummer3519692
ProduktpaletteXPT GenX4
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom68A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.5V
Verlustleistung375W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Bauform - TransistorTO-263HV
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageOberflächenmontage
ProduktpaletteXPT GenX4
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
68A
Verlustleistung
375W
Bauform - Transistor
TO-263HV
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
XPT GenX4
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.5V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006
Produktnachverfolgung