MT40A512M16LY-062E IT:E

MT40A512M16LY-062E IT:E ist ein DDR4-SDRAM der Produktreihe MT40A512M16 in einem 96-poligen FBGA-Gehäuse. Beim DDR4-SDRAM handelt es sich um einen dynamischen High-Speed-RAM, der intern konfiguriert ist als ein DRAM mit acht Bänken für die x16-Konfiguration und als ein DRAM mit 16 Bänken für die x4- und x8-Konfigurationen. Der DDR4-SDRAM verwendet eine 8n-Prefetch-Architektur, um einen High-Speed-Betrieb zu erreichen. Die 8n-Prefetch-Architektur ist kombiniert mit einer Schnittstelle, die entwickelt wurde zum Übertragen von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den I/O-Pins. Ein einfacher READ- oder WRITE-Vorgang für den DDR4-SDRAM besteht aus einer einfachen, 8n-Bit breiten Vier-Takt-Datenübertragung am internen DRAM-Core und zwei entsprechenden n-Bit breiten, Datenübertragungen im halbem Taktzyklus an den I/O-Pins.

• VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV, VPP = 2.5V, -125mV, +250mV
• Interne, einstellbare VREFDQ-Erzeugung auf dem Chip
• 1.2V-pseudo-Open-Drain-I/O
• Programmierbare Data-Strobe-Präambeln
• Schulung für Data-Strobe-Präambeln
• Befehls-/Adresslatenz (CAL)
• Mehrzweckregister mit READ- und WRITE-Fähigkeit
• Energiesparender, automatischer Self-Refresh, temperaturgesteuerter Refresh, Fine-Granularity-Refresh-Modus
• Maximale Stromeinsparung
• Ausgangstreiber-Kalibrierung

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.