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MT53E1G32D2FW-046 WT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E1G32D2FW-046 WT:C
Bestellnummer4698573
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 81,020 |
| 5+ | € 77,950 |
| 10+ | € 74,880 |
| 25+ | € 72,460 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 81,02 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E1G32D2FW-046 WT:C
Bestellnummer4698573
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungMobile LPDDR4
Speicherdichte32Gbit
Speicherkonfiguration1G x 32 Bit
Taktfrequenz, max.2.133GHz
IC-Gehäuse / BauformTFBGA
Anzahl der Pins200Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.8V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-25°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
MT53E1G32D2FW-046 WT:C is a 32Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X). It is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device.
- Frequency range from 10MHz to 2133MHz (data rate range per pin: 20Mb/s-4266Mb/s")
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), selectable output drive strength (DS)
- Programmable and on-the-fly burst lengths (BL =16, 32), up to 8.5GB/s per die x16 channel
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Clock-stop capability, programmable VSS (ODT) termination, single-ended CK and DQS support
- 4GB (32Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- 200-ball TFBGA package, -25°C to +85°C operating temperature
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR4
Speicherkonfiguration
1G x 32 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.8V
Betriebstemperatur, min.
-25°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
32Gbit
Taktfrequenz, max.
2.133GHz
Anzahl der Pins
200Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001