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MT53E256M32D1KS-046 AUT:L
DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E256M32D1KS-046 AUT:L
Bestellnummer4263256
Technisches Datenblatt
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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E256M32D1KS-046 AUT:L
Bestellnummer4263256
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungMobile LPDDR4
Speicherdichte8Gbit
Speicherkonfiguration256M x 32 Bit
Taktfrequenz, max.2.133GHz
IC-Gehäuse / BauformVFBGA
Anzahl der Pins200Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.1V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
MT53E256M32D1KS-046 AUT:L is an automotive LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 8Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 1 channel ×16 I/O, having 8-banks.
- Frequency range: 2133–10MHz (data rate range per pin: 4266–20Mb/s)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL =16/32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 256 Meg x 32 (2 channels x 16 I/O) array configuration
- 200-ball VFBGA package, AEC-Q100 qualified
- Operating temperature range from -40°C to +125°C
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR4
Speicherkonfiguration
256M x 32 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
VFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.1V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Speicherdichte
8Gbit
Taktfrequenz, max.
2.133GHz
Anzahl der Pins
200Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
125°C
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001