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Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
Herstellerteilenummer2N7002K,215
Bestellnummer1758065
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand3.9ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung830mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Alternativen für 2N7002K,215
3 Produkte gefunden
Produktbeschreibung
The 2N7002K,215 is a N-channel enhancement mode logic level field-effect transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Logic level compatible, very fast switching, gate-source ESD protection diodes.
- Gate-source ESD protection diodes
Anwendungen
Industrie
Warnungen und Hinweise
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
340mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
830mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
3.9ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00006