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Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBSH108,215
Bestellnummer2439431
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id1.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.12ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung830mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
The BSH108,215 is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. It is suitable for use in battery management, high speed switch and low power DC to DC converter applications.
- Very fast switching
- Logic level compatible
- Subminiature surface-mount package
- -65 to 150°C Operating junction temperature range
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.9A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
830mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.12ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung