Seite drucken
PDTB113ZT,215
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPDTB113ZT,215
Bestellnummer1510751
ProduktpalettePDTB113Z Series
Technisches Datenblatt
4 699 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,239 |
| 50+ | € 0,148 |
| 100+ | € 0,0926 |
| 500+ | € 0,064 |
| 1500+ | € 0,0468 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
€ 1,19 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPDTB113ZT,215
Bestellnummer1510751
ProduktpalettePDTB113Z Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.-V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Dauerkollektorstrom500mA
Basis-Eingangswiderstand R11kohm
Basis-Emitter-Widerstand R210kohm
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung250mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.70hFE
ProduktpalettePDTB113Z Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
PDTB113ZT ist ein widerstandsbestückter PNP-Transistor (Resistor Equipped Transistor, RET) mit 1 bis 10kΩ in einem kompakten SMD-Kunststoffgehäuse.
- Senkt die Kosten für die Bestückung
- Integrierte Vorspannungswiderstände
- Vereinfacht das Schaltungsdesign
- Reduziert die Anzahl an Bauelementen
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
- Toleranz Widerstandsverhältnis: ± 10%
- Komplementärer NPN-Transistor: PDTD113ZT
- Markierungscode: 7W
Anwendungen
Industrie, Fahrzeugelektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Basis-Eingangswiderstand R1
1kohm
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
PDTB113Z Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
-V
Dauerkollektorstrom
500mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
10kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
250mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
70hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung