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PMBT5550,215
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMBT5550,215
Bestellnummer1907676RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.140V
Dauerkollektorstrom300mA
Verlustleistung250mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.60hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
PMBT5550 ist ein NPN-Hochspannungstransistor in einem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage.
- Niedriger Strom
- Niedrige Spannung
- Komplementärer PNP-Transistor: PMBT5401
- Markierungscode: 1F
Anwendungen
Industrie, Kommunikation & Netzwerke, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
300mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
60hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
140V
Verlustleistung
250mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000045
Produktnachverfolgung