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2N3055G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2N3055G
Bestellnummer2101370
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauerkollektorstrom15A
Verlustleistung115W
Bauform - TransistorTO-204AA
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins2Pin(s)
Übergangsfrequenz2.5MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.20hFE
Betriebstemperatur, max.200°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
2N3055G ist ein komplementärer 60V-Silizium-NPN-Bipolartransistor für universelle Schalt- und Verstärkungsanwendungen.
- Hervorragender SOA-Schutz
- DC-Stromverstärkung (hFE = 20 bis 70 bei Ic = 4A DC)
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce (sat) = 1.1V DC max. bei Ic = 4A DC)
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
15A
Bauform - Transistor
TO-204AA
Anzahl der Pins
2Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
20hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung
115W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
2.5MHz
Betriebstemperatur, max.
200°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 2N3055G
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.012021
Produktnachverfolgung