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2N3904TA
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2N3904TA
Bestellnummer9846743
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauerkollektorstrom200mA
Verlustleistung625mW
Bauform - TransistorTO-92
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The 2N3904 is a through hole, NPN general purpose transistor in TO-92 package which is designed for amplifier and switch application. The dynamic range of device extends to 100mA while operating as switch and it will be 100MHz for amplifier.
- Collector to emitter breakdown voltage of 40V
- Collector to emitter saturation voltage of 300mV at 50mA collector current
- Power dissipation of 625mW
- DC collector current of 200mA
- DC current gain of 30 at Ic=100mA
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
200mA
Bauform - Transistor
TO-92
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
625mW
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 2N3904TA
7 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
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