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2N3906BU
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2N3906BU
Bestellnummer2453313
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauerkollektorstrom200mA
Verlustleistung625mW
Bauform - TransistorTO-92
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz250MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.30hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
2N3906BU ist ein bipolarer -40V-PNP-Einzeltransistor (BJT), der für allgemeine Verstärkungs- und Schaltanwendungen bei Kollektorströmen von 10µA bis 100mA ausgelegt ist. Dieses universell einsetzbare Produkt eignet sich für viele verschiedene Anwendungen.
- Kollektor-Basis-Spannung (VCBO): -40V
- Emitter-Basis-Spannung (VEBO): -5V
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse: 83.3°C/W
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 200°C/W
- Abfallzeit: 75ns (TA = 25°C)
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
200mA
Bauform - Transistor
TO-92
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
30hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
625mW
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
250MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 2N3906BU
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454
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