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2N5551TA
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2N5551TA
Bestellnummer2453758
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.160V
Dauerkollektorstrom600mA
Verlustleistung625mW
Bauform - TransistorTO-92
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.30hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
2N5551TA ist ein NPN-Bipolartransistor, der für universelle Hochspannungsverstärker und Treiber für Gasentladungsanzeigen entwickelt wurde.
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Multimedia, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
TO-92
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
30hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
160V
Verlustleistung
625mW
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 2N5551TA
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00024
Produktnachverfolgung