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AFGHL75T65SQDT
IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 7,220 |
| 10+ | € 4,230 |
| 100+ | € 3,770 |
| 500+ | € 3,310 |
| 1000+ | € 3,090 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 7,22 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerAFGHL75T65SQDT
Bestellnummer3367802
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.6V
Verlustleistung375W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
80A
Verlustleistung
375W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.6V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.15
Produktnachverfolgung