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BC33716BU
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
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Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC33716BU
Bestellnummer2453779
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Dauerkollektorstrom800mA
Verlustleistung625mW
Bauform - TransistorTO-92
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.60hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BC33716BU ist ein NPN-Epitaxial-Silizium-Transistor, der sich für AF-Treiberstufen, energiesparende Ausgangsstufen, Schalt- und Verstärkeranwendungen eignet.
- Ergänzung für BC327
Anwendungen
Audio, Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
800mA
Bauform - Transistor
TO-92
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
60hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
625mW
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BC33716BU
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000363
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