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BD13916STU
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBD13916STU
Bestellnummer2453336
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauerkollektorstrom1.5A
Verlustleistung1.25W
Bauform - TransistorTO-126
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The BD13916STU is a 80V NPN Epitaxial Silicon Transistor for medium power linear and switching applications. It is complement to BD140 transistor. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 80V Collector to base voltage (VCBO)
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
1.5A
Bauform - Transistor
TO-126
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
1.25W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BD13916STU
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000761
Produktnachverfolgung