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BSS138K
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBSS138K
Bestellnummer2453386
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds50V
Dauer-Drainstrom Id220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.6ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.600mV
Verlustleistung350mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BSS138K ist ein n-Kanal-Logikpegel-FET (Anreicherungstyp) mit niedriger Eingangskapazität, niedrigem Durchgangswiderstand Rds(on), niedriger Gate-Schwellenspannung und hoher Schaltfrequenz.
- Niedriger Eingangs-/Ausgangsleckstrom
- Gate/Source-Spannung: ± 12V
- Umweltfreundliches Produkt
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
220mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
350mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
50V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.6ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
600mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BSS138K
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033