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FDMS86550ET60
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDMS86550ET60
Bestellnummer3368753
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 50+ | € 4,840 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDMS86550ET60
Bestellnummer3368753
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id245A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00165ohm
Bauform - TransistorPower 56
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.3V
Verlustleistung187W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpalettePowerTrench
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
245A
Bauform - Transistor
Power 56
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
187W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00165ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
PowerTrench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004