FDP18N50

FDP18N50 ist ein universell einsetzbarer 500V-n-Kanal-UniFET™-MOSFET basierend auf der Planar Stripe- und DMOS-Technologie. Dieser MOSFET ist darauf ausgelegt, den Durchgangswiderstand zu reduzieren sowie eine bessere Schaltleistung und eine höhere Avalanche-Energie zu bieten. Die Reverse-Recovery-Leistung der Body-Diode des UniFET FRFET®-MOSFET wurde verbessert durch eine Lebenszeitkontrolle. Die trr beträgt weniger als 100ns und die dv/dt-Festigkeit in Sperrrichtung beträgt 15V/ns, im Vergleich zu 200ns bzw. 4.5V/ns bei normalen planaren MOSFETs. Dadurch können zusätzliche Bauelemente unnötig gemacht und die Systemzuverlässigkeit erhöht werden in bestimmten Anwendungen, in denen die Leistung der Body-Diode des MOSFET von hoher Bedeutung ist. Der Baustein eignet sich für Schaltwandleranwendungen wie PFC-Schaltungen, FPD-TV, ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte.

• Niedrige Gate-Ladung
• 100% Avalanche-getestet

Anwendungen

Power-Management, Beleuchtung