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FDPF55N06
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
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| Menge | |
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| 500+ | € 0,800 |
| 1000+ | € 0,783 |
| 5000+ | € 0,767 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDPF55N06
Bestellnummer3003956
ProduktpaletteUniFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id55A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.018ohm
Bauform - TransistorTO-220F
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung48W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteUniFET
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The FDPF55N06 is tailored ti reduce in-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factorfactor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power. ATX and electronic lamp ballasts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
55A
Bauform - Transistor
TO-220F
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
48W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.018ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
UniFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
Produktnachverfolgung