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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGH60N60SMD
Bestellnummer1885737
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom120A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.9V
Verlustleistung600W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-247AB
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FGH60N60SMD handelt es sich um einen Feldstop-IGBT mit hoher Strombelastbarkeit und niedriger Sättigungsspannung.
- Hohe Schaltfrequenz
- Sperrschichttemperatur, max: 175°C
- Enge Parameterverteilung
- Hohe Eingangsimpedanz
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Anwendungen
Power-Management, Alternative Energien, Kommunikation & Netzwerke
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
120A
Verlustleistung
600W
Bauform - Transistor
TO-247AB
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.9V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
-
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00542
Produktnachverfolgung