FQB55N10
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,230 |
| 10+ | € 1,630 |
| 100+ | € 1,280 |
| 500+ | € 1,070 |
| 1000+ | € 1,050 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell FQB55N10 handelt es sich um einen QFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp), der mithilfe der Planar-Stripe- und DMOS-Technologie hergestellt wird. Diese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand (RDS(on)) zu reduzieren und gleichzeitig eine herausragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energie zu gewährleisten. Der MOSFET eignet sich für Schaltnetzteile, die aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Lampenvorschaltgeräte.
- 100% Avalanche-getestet
- Niedrige Gate-Ladung, typ.: 75nC
- Niedrige Crss, typ.: 130pF
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
55A
TO-263 (D2PAK)
10V
155W
175°C
-
100V
0.026ohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für FQB55N10
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat