Seite drucken
952 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung in 1–2 Arbeitstagen
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab € 0,00
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
Menge | |
---|---|
1+ | € 4,050 |
10+ | € 2,160 |
100+ | € 1,960 |
500+ | € 1,700 |
1000+ | € 1,670 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 4,05 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFQP47P06
Bestellnummer2575367
ProduktpaletteQFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id47A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.026ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung160W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteQFET
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The FQP47P06 is a -60V P-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low gate charge (typical 84nC)
- Low Crss (typical 320pF)
- 100% avalanche tested
- ±25V gate to source voltage
- 62.5°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.94°C/W thermal resistance, junction to case
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
47A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
160W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.026ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
QFET
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002041
Produktnachverfolgung