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HN2D02FUTW1T1G
Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerHN2D02FUTW1T1G
Bestellnummer2317444RL
ProduktpaletteHN2D0
Technisches Datenblatt
DiodenkonfigurationDreifach, isoliert
Periodische Spitzensperrspannung85V
Durchschnittlicher Durchlassstrom100mA
Durchlassspannung, max.1.2V
Sperrverzögerungszeit3ns
Durchlassstoßstrom1A
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - DiodeSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
DiodenmontageOberflächenmontage
ProduktpaletteHN2D0
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Diodenkonfiguration
Dreifach, isoliert
Durchschnittlicher Durchlassstrom
100mA
Sperrverzögerungszeit
3ns
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
HN2D0
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Periodische Spitzensperrspannung
85V
Durchlassspannung, max.
1.2V
Durchlassstoßstrom
1A
Bauform - Diode
SOT-363
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
Produktnachverfolgung