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KSA1013YBU
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerKSA1013YBU
Bestellnummer2453931
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.160V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung900mW
Bauform - TransistorTO-226AA
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz50MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.160hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The KSA1013YBU is a PNP Epitaxial Silicon Transistor designed for used in colour TV audio output and vertical deflection output.
Anwendungen
Multimedia, Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
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Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
TO-226AA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
160hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
160V
Verlustleistung
900mW
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
50MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001361
Produktnachverfolgung