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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJ15015G
Bestellnummer9556486
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.120V
Dauerkollektorstrom15A
Verlustleistung180W
Bauform - TransistorTO-3
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins2Pin(s)
Übergangsfrequenz6MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.70hFE
Betriebstemperatur, max.200°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJ15015G is a 120V NPN complementary silicon Bipolar Transistor designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. It can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC-to-DC converters, inverters or for inductive loads requiring higher safe operating area than the 2N3055.
- High current-gain - bandwidth
- Safe operating area
- 200V Collector to base voltage (VCBO)
- 7V Emitter to base voltage (VEBO)
- 7A Base current (IB)
- 1.52°C/W Thermal resistance, junction to case
Anwendungen
Audio, Motorantrieb & -steuerung, Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
15A
Bauform - Transistor
TO-3
Anzahl der Pins
2Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
70hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
120V
Verlustleistung
180W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
6MHz
Betriebstemperatur, max.
200°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.01202
Produktnachverfolgung