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MJD210G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJD210G
Bestellnummer1459085
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.25V
Dauerkollektorstrom5A
Verlustleistung1.4W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz65MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.3hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJD210G is a 5A PNP bipolar Power Transistor designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications.
- Complementary device
- High current-gain - bandwidth product (fT = 65MHz minimum @ IC = 100mA DC)
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
5A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
3hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
25V
Verlustleistung
1.4W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
65MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MJD210G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454
Produktnachverfolgung