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MJE15033G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,060 |
| 10+ | € 0,883 |
| 100+ | € 0,792 |
| 500+ | € 0,662 |
| 1000+ | € 0,642 |
| 5000+ | € 0,629 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 2,06 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJE15033G
Bestellnummer9556630
ProduktpaletteMJxxxx
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.250V
Dauerkollektorstrom8A
Verlustleistung50W
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz30MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.30hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMJxxxx
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJE15033G is a PNP Power Transistor designed for use as a high-frequency driver in audio amplifiers. High current gain bandwidth and high DC current gain.
- 62.5°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
- 2.5°C/W Junction-to-case thermal resistance
Anwendungen
Audio
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
8A
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
30hFE
Produktpalette
MJxxxx
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
250V
Verlustleistung
50W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
30MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung