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MJE340G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
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| Menge | |
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| 500+ | € 0,261 |
| 1000+ | € 0,226 |
| 5000+ | € 0,220 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJE340G
Bestellnummer9557822
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.300V
Dauer-Kollektorstrom500mA
Verlustleistung20W
Bauform - TransistorTO-225AA
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.240hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJE340G is a 300V Silicon NPN Complementary Plastic Medium Power Transistor useful for high voltage general purpose applications. This transistor has thermo pad construction that provides high power dissipation rating for high reliability.
- Suitable for transformerless, line operated equipment
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
500mA
Bauform - Transistor
TO-225AA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
240hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
300V
Verlustleistung
20W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
-MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für MJE340G
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00064
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