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MMBT5551LT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 9000+ | € 0,0191 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT5551LT1G
Bestellnummer2317831
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.160V
Dauer-Kollektorstrom600mA
Verlustleistung225mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-
DC-Stromverstärkung (hFE), min.30hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBT5551LT1G ist ein NPN-Silizium-Hochspannungstransistor für Anwendungen, die eindeutige Site- und Control Change-Anforderungen benötigen. Dieser Transistor ist PPAP-fähig und qualifiziert gemäß AEC-Q101.
- Halogenfrei
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
30hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
160V
Verlustleistung
225mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für MMBT5551LT1G
5 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033
Produktnachverfolgung