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MUN5235T1G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMUN5235T1G
Bestellnummer2535587
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R12.2kohm
Basis-Emitter-Widerstand R24.7kohm
Bauform - TransistorSOT-323
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung310mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.80hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
2.2kohm
Bauform - Transistor
SOT-323
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
4.7kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
310mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
80hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000013
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