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NCP1392DDR2G
MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,740 |
| 10+ | € 1,040 |
| 50+ | € 0,840 |
| 100+ | € 0,694 |
| 250+ | € 0,632 |
| 500+ | € 0,575 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCP1392DDR2G
Bestellnummer2844979
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle2Kanäle
Gate-TreiberIsoliert
TreiberkonfigurationHalbbrücke
LeistungsschalterMOSFET
Anzahl der Pins8Pin(s)
IC-Gehäuse / BauformSOIC
IC-MontageOberflächenmontage
EingangNicht invertierend
Quellstrom500mA
Sinkstrom1A
Versorgungsspannung, min.-
Versorgungsspannung, max.20V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Eingabeverzögerung40ns
Ausgabeverzögerung20ns
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
2Kanäle
Treiberkonfiguration
Halbbrücke
Anzahl der Pins
8Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
500mA
Versorgungsspannung, min.
-
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
40ns
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Treiber
Isoliert
Leistungsschalter
MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform
SOIC
Eingang
Nicht invertierend
Sinkstrom
1A
Versorgungsspannung, max.
20V
Betriebstemperatur, max.
125°C
Ausgabeverzögerung
20ns
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung