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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNJW0302G
Bestellnummer2101386
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.250V
Dauerkollektorstrom15A
Verlustleistung150W
Bauform - TransistorTO-3P
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz30MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.75hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
NJW0302G ist ein komplementärer PNP-Bipolartransistor mit herausragender Verstärkungslinearität und SOA-Leistung. Dieser Transistor ist ideal für High-Fidelity-Audio-Ausgangsverstärkerstufen und andere lineare Anwendungen.
- Ergänzung für NJW0281G
 - Hervorragender SOA-Schutz
 - Abstimmung der Verstärkung innerhalb von 10% von 50mA bis 3A
 - Hervorragende Verstärkungslinearität
 - Hohe BVCEO
 - Hochfrequenz
 - Zuverlässige Leistung bei höheren Leistungen
 - Präzise Reproduktion des Eingangssignals
 - Größerer Dynamikbereich
 - Hohe Verstärker-Bandbreite
 
Anwendungen
Audio, Industrie, Signalverarbeitung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
15A
Bauform - Transistor
TO-3P
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
75hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
250V
Verlustleistung
150W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
30MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005216
Produktnachverfolgung