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NSVMMBT5551M3T5G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 16000+ | € 0,046 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 16000
Mehrere: 16000
€ 736,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNSVMMBT5551M3T5G
Bestellnummer3615615
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.160V
Dauerkollektorstrom60mA
Verlustleistung640mW
Bauform - TransistorSOT-723
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
60mA
Bauform - Transistor
SOT-723
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
160V
Verlustleistung
640mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung