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NXH100B120H3Q0PTG
IGBT-Modul, Zweifach, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH100B120H3Q0PTG
Bestellnummer3265489
ProduktpaletteNXH100B120H3Q0
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 61,350 |
| 5+ | € 55,260 |
| 10+ | € 49,160 |
| 50+ | € 48,180 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 61,35 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH100B120H3Q0PTG
Bestellnummer3265489
ProduktpaletteNXH100B120H3Q0
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationZweifach
DC-Kollektorstrom50A
Dauerkollektorstrom50A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.77V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.77V
Verlustleistung Pd186W
Verlustleistung186W
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorPIM
IGBT-AnschlussEinpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieTrench/Feldstop
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteNXH100B120H3Q0
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Zweifach
Dauerkollektorstrom
50A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.77V
Verlustleistung
186W
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
DC-Kollektorstrom
50A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.77V
Verlustleistung Pd
186W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
IGBT-Technologie
Trench/Feldstop
Produktpalette
NXH100B120H3Q0
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
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