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Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The QSE113 is a NPN silicon infrared phototransistor encapsulated in black plastic sidelooker package.
- Daylight filter
- High sensitivity
- Blue dot marking on the top side
- Power dissipation of 100mW
- Operating temperature range from -40°C to 100°C
- Peak sensitivity of 880nm
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
880nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Abstrahlwinkel
25°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000159
Produktnachverfolgung