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QSE114
Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 0,716 |
| 10+ | € 0,469 |
| 25+ | € 0,415 |
| 50+ | € 0,361 |
| 100+ | € 0,307 |
| 500+ | € 0,253 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerQSE114
Bestellnummer2825074
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.880nm
Abstrahlwinkel50°
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - Transistor-
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The QSE114 is a Plastic Silicon Infrared Phototransistor encapsulated in a wide angle, infrared transparent and black plastic side-looking package. This product is general usage and suitable for many different applications.
- NPN silicon phototransistor
- Medium wide reception angle (50°)
- Matched emitter - QEE113
- Daylight filter
- High sensitivity
- Blue dot marking on the top side
Anwendungen
Sensortechnik, Industrie
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
880nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Abstrahlwinkel
50°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000177
Produktnachverfolgung