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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFQU5N40TU
Bestellnummer3368835
ProduktpaletteQFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds400V
Dauer-Drainstrom Id3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.27ohm
Bauform - TransistorTO-251
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung45W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteQFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.4A
Bauform - Transistor
TO-251
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
45W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
400V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.27ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
QFET
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung