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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH100B120H3Q0PG
Bestellnummer3929800
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 49,590 |
5+ | € 47,510 |
10+ | € 45,420 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH100B120H3Q0PG
Bestellnummer3929800
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationZweifach
Dauer-Kollektorstrom61A
DC-Kollektorstrom61A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.77V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.77V
Verlustleistung186W
Verlustleistung Pd186W
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussEinpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieIGBT [Trench/Feldstop]
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Zweifach
DC-Kollektorstrom
61A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.77V
Verlustleistung Pd
186W
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Kollektorstrom
61A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.77V
Verlustleistung
186W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
IGBT-Technologie
IGBT [Trench/Feldstop]
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09