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Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH50M65L4C2SG
Bestellnummer3872101
Technisches Datenblatt
IGBT-Konfiguration-
Dauerkollektorstrom50A
DC-Kollektorstrom50A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.6V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.6V
Verlustleistung Pd-
Verlustleistung-
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorDIP
IGBT-AnschlussLötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo650V
IGBT-Technologie-
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
-
DC-Kollektorstrom
50A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.6V
Verlustleistung
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
650V
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Dauerkollektorstrom
50A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.6V
Verlustleistung Pd
-
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
DIP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
IGBT-Technologie
-
Produktpalette
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001