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NXH600N105H7F5S1HG
IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 429 A, 1.6 V, 1.08 kW, 150 °C, PIM
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH600N105H7F5S1HG
Bestellnummer4750180
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationDrei-Ebenen-Wechselrichter
Dauerkollektorstrom429A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.6V
Verlustleistung1.08kW
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorPIM
IGBT-AnschlussLötstift
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.05kV
IGBT-TechnologieIGBT 7 [Trench/Feldstop]
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Drei-Ebenen-Wechselrichter
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.6V
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Lötstift
IGBT-Technologie
IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Produktpalette
-
Dauerkollektorstrom
429A
Verlustleistung
1.08kW
Bauform - Transistor
PIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.05kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung