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RE1E002SPTCL
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,257 |
| 10+ | € 0,156 |
| 100+ | € 0,0658 |
| 500+ | € 0,0644 |
| 1000+ | € 0,0629 |
| 5000+ | € 0,0457 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRE1E002SPTCL
Bestellnummer2706623
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.9ohm
Bauform - TransistorSC-89
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung150mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
250mA
Bauform - Transistor
SC-89
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
150mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.9ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000072
Produktnachverfolgung