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SKM100GB125DN
IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerSEMIKRON
HerstellerteilenummerSKM100GB125DN
Bestellnummer2423681
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach n-Kanal
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauerkollektorstrom100A
DC-Kollektorstrom100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)3.3V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung3.3V
Verlustleistung Pd-
Verlustleistung-
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins7Pin(s)
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieNPT IGBT [Ultrafast]
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
Produktbeschreibung
SKM100GB125DN ist ein 1200V-n-Kanal-IGBT-Modul mit äußerst kurzer Erholzeit und CAL-Inversioden mit kurzer und sanfter Erholzeit. Dieser Transistor ist ideal für resonante Wechselrichter bis zu 100kHz und elektronische Schweißgeräte sowie für induktive Heizung.
- Niedrige Induktivität
- Geringer Tailstrom mit niedriger Temperaturabhängigkeit
- Hohe Kurzschlussfestigkeit
- Isolierte Grundplatte aus Kupfer unter Verwendung der DCB-Technologie (Direct Copper Bonding)
- Große Kriechstrecke (10mm) und Luftstrecke (20mm)
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Warnungen und Hinweise
ESD-empfindliche Bauelemente! Handhabung nur mit geeigneten Schutzmaßnahmen! Eine ESD-Verpackung ist jedoch nicht erforderlich. Aufgrund der technischen Anforderungen können die Bauelemente möglicherweise gefährliche Substanzen enthalten.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach n-Kanal
Dauerkollektorstrom
100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
3.3V
Verlustleistung Pd
-
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
3.3V
Verlustleistung
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
IGBT-Technologie
NPT IGBT [Ultrafast]
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Italy
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Italy
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.18
Produktnachverfolgung