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GD100SGY120D6S
IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Modul
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 24,940 |
| 5+ | € 23,140 |
| 10+ | € 21,030 |
| 50+ | € 20,260 |
| 100+ | € 19,560 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD100SGY120D6S
Bestellnummer3813163
Technisches Datenblatt
IGBT-Konfiguration-
Dauerkollektorstrom155A
DC-Kollektorstrom155A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.7V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.7V
Verlustleistung500W
Verlustleistung Pd500W
Betriebstemperatur, max.150°C
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
IGBT-TechnologieTrench-Transistor
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
-
DC-Kollektorstrom
155A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.7V
Verlustleistung Pd
500W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
Dauerkollektorstrom
155A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.7V
Verlustleistung
500W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
IGBT-Technologie
Trench-Transistor
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.152861